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在采用IR最先進的COOLiRFET 40V 溝道技術的車用5x6mm雙PQFN功率MOSFET產品系列中，AUIRFN8459和AUIRFN8458是最先推出的兩款產品。AUIRFN8459實現了基準性能，即每通道5.9mΩ的超低導通電阻，可承載50A大電流。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“與傳統的DPAK (TO-252) 封裝相比，IR的AUIRFN8459和AUIRFN8458 40V 5x6mm雙PQFN COOLiRFET校件的體積減小了50%以上，具有超低封裝電阻、電感值和基準導通電阻，十分適合要求高效率、高功率密度和節省空間的傳統12V汽車應用，比如電機控制應用。”

與SO-8封裝相比，新型5x6mm雙PQFN COOLiRFET校件提供到電路板的低導熱路徑和更高的導熱性能，具有更高的效率和功率密度，以及更低的整體系統成本。

所有 IR 車用MOSFET 產品都遵循IR要求零缺陷的汽車質量理念，并經過了動態和靜態器件平均測試及100% 自動晶圓級目視檢查。AEC-Q101 標準要求器件在經過1,000次溫度循環測試后，導通電阻變化幅度不能超過20%。