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IRLHM630TR2PBF
制造廠商：IR（國際整流器公司）
類別封裝：單端場效應管，PQFN
技術參數：MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
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技術參數詳情：
制造商產品型號：IRLHM630TR2PBF制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購描述：MOSFET N-CH 30V 21A PQFN系列：HEXFETFET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：21A（Ta），40A（Tc）不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：3.5 毫歐 @ 20A，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 50μA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：62nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：3170pF @ 25V功率 - 最大值：2.7W安裝類型：表面貼裝產品封裝：8-VQFN 裸露焊盤供應商器件封裝：PQFN（3x3）現在可以訂購IRLHM630TR2PBF，國內庫存當天發貨，國外庫存7-10天內發貨。
