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IRF6662TR1PBF
制造廠商:IR(國際整流器公司)
類別封裝:單端場效應管,DIRECTFET
技術參數:MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
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技術參數詳情:
制造商產品型號:IRF6662TR1PBF制造廠家名稱:IR(International Rectifier)已被英飛凌INFINEON收購描述:MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET系列:HEXFETFET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:標準漏源極電壓 (Vdss):100V電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):8.3A(Ta),47A(Tc)不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):22 毫歐 @ 8.2A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.9V @ 100μA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):31nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1360pF @ 25V功率 - 最大值:2.8W安裝類型:表面貼裝產品封裝:DirectFET 等容 MZ供應商器件封裝:DIRECTFET MZ現在可以訂購IRF6662TR1PBF,國內庫存當天發貨,國外庫存7-10天內發貨。